Рис.5.10. Зависимость диэлектрической проницаемости ε от температуры при двух значениях напряженности поля для титаната бария
Рис.5.11. Зависимость электрической индукции Д и диэлектрической проницаемости ε от напряженности поля для титаната бария
Рис. 5.12. Петля гистерезиса сегнетоэлектрика
Сушествование гистерезиса связано с наличием сигнетоэлектрических доменов – объемных областей в каждой из которых дипольные моменты фиксированы одинаково, но в соседних доменах векторы р направлены различно.
Из рис. 5.12 видно, что при определенном значении напряженности Е поляризация достигает насыщения Ps. Если после достижения насыщения поле уменьшается до нуля, то сохраняется поляризация РR, называемая остаточной. Для того, чтобы эту поляризацию свести к нулю, необходимо приложить внешнее поле обратного направления. Это поле Еc называют коэрцитивной силой. Остаточная поляризация и коэрцитивная сила зависят как от природы материала, так и от факторов, влияющих на движение доменных стенок, — размеров кристаллитов, примесей, дефектов.
Поскольку поляризация Р сегнетоэлектриков зависит от внешнего поля Е нелинейно, определить диэлектрическую проницаемость таких материалов нельзя так просто, как это было сделано выше для несегнетоэлектриков. В этом случае ε сама является функцией напряженности поля. Поэтому для сегнетоэлектриков вводится понятие дифференциальной относительной диэлектрической проницаемости:
. (5.15)
Спонтанная поляризация сегнетоэлектриков сильно зависит от температуры. С повышением температуры Р уменьшается и при некоторой температуре Тк, называемой сегнетоэлектриче-ской точкой Кюри, Р обращается в нуль. Таким образом, при Т>Тк тепловое движение разрушает сегнетоэлектрическое состояние и сегнетоэлектрик переходит в параэлектрическое состояние. В параэлектрической области зависимость ε от температуры описывается законом Кюри-Вейсса:
, (5.16)
По типу химической связи и физическим свойствам все сегнетоэлектрические материалы подразделяют на две группы: ионные кристаллы; дипольные кристаллы.
Ионные сегнетоэлектрики представляют из себя кристаллические материалы со структурой типа перовскита CaTiO3 (исключение составляют сегнетоэлектрики LiNbО3, LiTaO3). Структурным элементом кристаллической решетки ионных сегнетоэлектриков является кислородный октаэдр, в центре которого расположены ионы Ti 4+ , Nb 4+ , Ta 4+ , благодаря чему эти сегнетоэлектрики называют сегнетоэлектриками кис-лородно-октаэдрического типа. В ионных сегнетоэлектриках не содержатся атомные группы, обладающие постоянным дипольным моментом. Фазовый переход из параэлектрического состояния в сегнетоэлектрическое происходит в результате смещения ионов Ti, Nb или Та из симметричного состояния в центре кислородного октаэдра в другое, приводящее к появлению электрических моментов и возникновению спонтанной поляризации. Сегнетоэлектрики этого типа имеют большое значение спонтанной поляризованности и обладают высокой механической прочностью; получаются в виде поликристаллов по керамической технологии. Температура перехода из состояния спонтанной поляризованности в параэлектрическое состояние (температура Кюри) для различных сегнетоэлектриков находится в пределах 120 о – 1200 о С. К ионным сегнетоэлектрикам относятся титанат бария BaTiO3 (Тк = 120 о С), титанат свинца PbTiO3 (Тк = 493 о С), танталат натрия NaTaO3 (Тк = 660 о С), ниобат калия KNbO3 (Тк = 435 о С), ниобат лития LiNbO3 (Тк = 1200 о С) и другие.
Дипольные сегнетоэлектрики. К ним относятся кристаллические материалы, в которых существуют постоянные электрические диполи или дипольные группы, образованные атомами, связанными между собой ковалентной связью. В сегнетоэлектрическом состоянии диполи занимают упорядоченное расположение, то есть существует дальний порядок, а при переходе в параэлектрическое состояние выше точки Кюри дальний порядок в расположении диполей нарушается. Дипольные сегнетоэлектрики в большинстве имеет более низкое значение точки Кюри, чем сегнетоэлектрики кислородно-октаэдрического типа, меньшую механическую прочность и растворимы в воде. К дипольным сегнетоэлектрикам относятся сегнетовая соль C4H4O6KNa . 4 H2O (Tк = 24 о С), триглицинсульфат (СH2NH2COOH)3 . H2SO4 (Tк = 49 о C), дигидрофосфат калия KH2PO4 (Tк =-150 о C), нитрит натрия NaNO3 (Tк =163 о С) и другие.
Сегнетоэлектрические материалы применяются для изготовления различных компонентов и устройств радиоэлектронных средств: малогаборитных низкочастотных конденсаторов с большой удельной емкостью, варикондов – электрически управляемых конденсаторов, электрооптических кристаллов для генерации, модуляции, отклонения и преобразования частоты лазерного излучения.
Источник
Сегнетоэлектриками называют вещества, обладающие спонтанной поляризацией, направление которой может быть изменено с помощью внешнего электрического поля.
В отсутствие внешнего электрического поля сегнетоэлектрики, как правило, имеют доменную структуру. Домены представляют собой макроскопические области, обладающие спонтанной (самопроизвольной) поляризацией. Направление электрических моментов у разных доменов различно. Поэтому суммарная поляризованность образца в целом может быть равна нулю. Образец достаточно крупных размеров всегда разбивается на множество доменов, поскольку однодоменное состояние энергетически невыгодно. Разбиение на домены уменьшает электростатическую энергию сегнетоэлектрика. Установлено, что линейные размеры доменов составляют от 10 -3 мм до 1мм.
Основные свойства сегнетоэлектриков:
Рис. 2
По типу химической связи и физическим свойствам сегнетоэлектрики принято подразделять на две группы: 1) ионные кристаллы; 2) дипольные кристаллы.
П Рис. 3— ри температуре выше точки Кюри (120 0 С) титанат бария имеет кубическую структуру типа перовскита (перовскит – минерал CaTiO3), представленную на рис.3. При высокой температуре ион титана непрерывно перебрасывается от одного иона кислорода к другому, так что усредненное во времени его положение совпадает с центром элементарной ячейки. Такая ячейка не обладает электрическим моментом. П
Рис. 4 ри температуре ниже точки Кюри энергии теплового движения недостаточно для переброса иона титана, и он локализуется вблизи одного из окружающих его кислородных ионов. На рис.4 изображена зависимость потенциальной энергии иона Ti 4+ от положения между ионами кислорода. Если высота потенциального барьера
, то иону титана энергетически более выгодно находиться в одной из позиций 1 или 2. Вследствие такого смещения ионTi 4+ , во – первых, возникает электрический момент элементарной ячейки и, во – вторых, ребра куба, вдоль которых произошло смещение удлиняются (их четыре), а четыре других сжимаются. Вследствие последнего кристалл BaTiO3 приобретает тетрагональную симметрию. По числу ионов кислорода, окружающих ион титана (шесть) в тетрагональной фазе возможно шесть направлений поляризации. Ниже 5 0 С титанат бария испытывает второе фазовое превращение. Получается новая сегнетоэлектрическая фаза, устойчивая между +5 0 С и –90 0 С и обладающая орторомбической симметрией. Элементарная ячейка может быть получена из исходной кубической ячейки, если ее растянуть вдоль одной диагонали грани куба и сжать вдоль другой диагонали той же грани. Растянутая диагональ становится полярной осью кристалла. Ион титана смещается при этом в направлении середины отрезка, соединяющего ионы кислорода. П
Рис. 5 ри -90 0 С происходит третий фазовый переход. Кристалл становится ромбоэдрическим (куб, вытянутый вдоль пространственной диагонали). Полярная ось и смещение иона титана вдоль пространственной диагонали бывшего куба. Указанные фазовые переходы сопровождаются изменениями (рис.5) На рис.5 приведены изменения
(электрическое поле параллельное полярной тетрагональной оси) и
(электрическое поле перпендикукулярное тетрагональной оси). Следует отметить, что при Т
Особенностью сегнетовой соли как представителя дипольных сегнетоэлектриков является наличие двух точек Кюри: нижней и верхней. Это иллюстрирует рис.6. Сегнетоэлектрические свойства у сегнетовой соли проявляются в диапазоне температур –18 0 С +24 0 С. Рис. 6
Источник